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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压小信号开关任务的“得力干将”吗？ZVN4525ZTA正是为此而生！这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有高达250V的漏源电压耐受力，能稳健地工作在开关电源、LED驱动及各种家电控制模块的高压侧，为您提供安全可靠的开关解决方案。

它的卓越之处在于极高的易用性。仅需2.4V的低驱动电压即可高效导通，让您能直接用MCU或逻辑芯片轻松控制，大幅简化外围电路设计。同时，其极低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关响应，有效降低开关损耗，从而帮助您提升整体系统的能效和运行频率。紧凑的SOT-89-3封装更让您能在有限的空间内实现强大的功能，是追求高性能与高密度设计的理想选择。

• 型号:ZVN4525ZTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-89-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 240MA SOT89-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):240mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.4V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±40V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:72 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-89-3
• 封装/外壳:TO-243AA
• ZVN4525ZTA，Diodes产品一站式供应商。