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还在为电路中的开关控制寻找一颗“得力干将”吗？ZVNL110GTA正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET能为您高效地切换高达100V电压、600mA电流的负载，其低至1.5V的阈值电压和优异的导通特性，让您仅用微弱的控制信号就能轻松驾驭它，实现精准的电源通断或电机启停。

它采用节省空间的SOT-223封装，却拥有强大的散热能力，确保您能在紧凑的设计中实现稳定可靠的高性能。无论是提升能效、简化设计还是增强可靠性，ZVNL110GTA都能让您的产品脱颖而出。

• 型号:ZVNL110GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):600mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:75 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZVNL110GTA，Diodes产品一站式供应商。