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还在为寻找一颗驱动简单、高效节能的开关器件而费神吗？ZVNL110GTC正是为您而来！这颗N沟道MOSFET，仅需5V至10V的低压驱动，就能让您轻松控制高达100V、600mA的负载通路，其低至3欧姆的导通电阻，能显著减少功率损耗，提升系统整体效率。

它采用热性能优异的SOT-223封装，在紧凑的尺寸下实现了良好的散热能力，非常适合空间受限的现代电子设备。无论是用于电源管理中的负载开关、DC-DC转换，还是信号路径的切换与调制，ZVNL110GTC都能以出色的可靠性和稳定性，确保您的电路流畅运行，助您简化设计，加速产品上市。

• 型号:ZVNL110GTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):600mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:75 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZVNL110GTC，Diodes产品一站式供应商。