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ZVNL120ASTOB 零件图片(仅供参考)

ZVNL120ASTOB
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ZVNL120ASTOB 规格参数

还在为高压小信号开关电路的选择犯难吗?让ZVNL120ASTOB来轻松化解您的设计挑战!这颗N沟道MOSFET是Diodes Incorporated的经典之作,它能为您在高达200V的电压下,提供稳定可靠的开关控制。其180mA的电流处理能力和仅需3V的低驱动门限,让您能够高效地管理能量,简化驱动电路设计,显著提升系统整体能效。

这颗芯片采用经典的E-Line通孔封装,兼容TO-92,为您带来出色的安装便利性与散热性能。它能在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作,确保您的设备无论是在严寒还是酷热的环境中都能持续可靠运行。选择它,就是为您的电源管理、电机驱动或保护电路选择了一位值得信赖的“高效执行者”。

  • 型号:ZVNL120ASTOB
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:E-Line(TO-92 兼容)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):3V,5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):10 欧姆 @ 250mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):85 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):700mW(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:E-Line(TO-92 兼容)
  • 封装/外壳:E-Line-3
  • ZVNL120ASTOB,Diodes产品一站式供应商。
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ZVNL120ASTOB 基本参数:

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