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ZVNL120C 零件图片(仅供参考)

ZVNL120C
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ZVNL120C 规格参数

还在为寻找一款能在高压、小电流场景下稳定工作的开关器件而费神吗?ZVNL120C正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有200V的耐压和180mA的连续电流处理能力,采用经典的TO-92-3通孔封装,让您能在紧凑的空间内轻松实现高效的功率控制。

它的魅力在于极低的驱动需求,仅需3V电压即可高效开启,让您的低压微控制器或逻辑电路能够直接、轻松地驱动它,大幅简化您的电路设计。同时,其优异的开关特性有助于减少开关损耗,让您的设备运行更加高效、节能。无论是用于电源管理、信号切换还是负载驱动,ZVNL120C都能以可靠的性能,成为您设计中坚实而高效的一环。

  • 型号:ZVNL120C
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TO-92
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):3V,5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):10 欧姆 @ 250mA,5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):85 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):700mW(Ta)
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-92
  • 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
  • ZVNL120C,Diodes产品一站式供应商。
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ZVNL120C 基本参数:

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