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ZVNL120CSTOB 零件图片(仅供参考)

ZVNL120CSTOB
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ZVNL120CSTOB 规格参数

还在为小功率开关电路的选择而犹豫吗?让ZVNL120CSTOB来为您分忧!这颗N沟道MOSFET是您实现高效、紧凑电路设计的得力助手。它能轻松处理高达200V的电压和180mA的电流,并以最低仅需3V的驱动电压快速响应,让您的控制逻辑直接、高效地驱动功率回路。

它采用经典的TO-92兼容封装,便于您进行焊接和布局。无论是用于信号切换、负载驱动还是电源管理模块,ZVNL120CSTOB都能以稳定的性能和经济的成本,助您轻松提升产品的整体可靠性与市场竞争力。

  • 制造商产品型号:ZVNL120CSTOB
  • 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):200V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):180mA(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):3V,5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):10 欧姆 @ 250mA,5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):85pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):700mW(Ta)
  • 工作温度:-
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:E-Line(TO-92 兼容)
  • ZVNL120CSTOB,Diodes产品一站式供应商。
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ZVNL120CSTOB 基本参数:

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