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您正在设计需要高压、小电流精准控制的电路吗？ZVNL120CSTZ正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET能轻松驾驭高达200V的电压，并以最低仅3V的驱动电压迅速响应您的控制指令，让您高效完成开关动作，同时将能量损耗降至最低。

它采用经典的E-Line通孔封装，坚固可靠，便于焊接和集成，非常适合电源适配器、LED驱动及各种电器控制板中的高压侧开关应用。选择它，就是为您的产品选择了一颗稳定、高效且易于使用的“心脏”，让复杂的设计变得简单，让性能的提升触手可及。

• 型号:ZVNL120CSTZ
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:带盒（TB）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 250mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:85 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
• ZVNL120CSTZ，Diodes产品一站式供应商。