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还在为高压小电流开关的选择而犹豫吗？ZVNL120GTC就是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET能为您做什么？它就像一个高效、敏捷的电力开关，轻松应对高达200V的电压，精准控制320mA的电流，让您的电源管理、信号隔离或电机驱动电路设计瞬间变得简单可靠。

凭借仅需3V-5V的低驱动电压和出色的导通特性，它能被微控制器直接唤醒，大幅简化您的驱动电路。采用节省空间的SOT-223贴片封装，帮助您最大化利用PCB面积，同时其坚固的设计确保在严苛环境下稳定工作。选择ZVNL120GTC，就是选择用一颗高度集成的芯片，轻松实现高效、紧凑且可靠的电路控制，加速您的产品上市进程。

• 型号:ZVNL120GTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 250mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:85 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZVNL120GTC，Diodes产品一站式供应商。