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还在为高压小电流开关电路的选择而犹豫吗？让ZVP0120ASTOB为您提供清晰答案。这颗P沟道MOSFET是您实现高效、可靠高压侧控制的得力助手，其200V的漏源电压和110mA的连续电流能力，让您在设计电源隔离、信号切换或负载驱动电路时信心倍增。

它采用经典的TO-92兼容封装，便于您快速进行原型验证与生产。仅需10V驱动电压即可实现低至32欧姆的导通电阻，显著降低功耗与发热，让您的系统运行更凉爽、更持久。选择它，就是为您的产品选择了一份经过验证的稳定与高效。

• 制造商产品型号：ZVP0120ASTOB
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 200V 110MA E-LINE
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：200V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：110mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：32 欧姆 @ 125mA，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：100pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：700mW（Ta）
• 工作温度：-
• 安装类型：通孔
• 器件封装：E-Line（TO-92 兼容）
• ZVP0120ASTOB，Diodes产品一站式供应商。