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ZVP0545GTC 零件图片(仅供参考)

ZVP0545GTC
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ZVP0545GTC 规格参数

还在为高压小电流开关选型而烦恼吗?让ZVP0545GTC为您提供清晰高效的答案。这颗P沟道MOSFET是专为简化您的设计而生的利器,它能以高达450V的耐压和75mA的电流处理能力,轻松担当起电路中的高压侧开关角色,让电源管理或信号路径控制变得既安全又省心。

得益于其仅需10V的低驱动电压和SOT-223的紧凑封装,您可以大幅简化驱动电路设计,并节省宝贵的电路板空间。无论是用于智能电表、离线式电源的启动电路,还是其他需要可靠高压切换的场合,它都能确保高效、稳定的性能,助您快速实现产品设计目标,提升整体系统可靠性。

  • 型号:ZVP0545GTC
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-223-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 450V 75MA SOT223
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):450 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):150 欧姆 @ 50mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):120 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):2W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SOT-223-3
  • 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
  • ZVP0545GTC,Diodes产品一站式供应商。
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ZVP0545GTC 基本参数:

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