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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务的P沟道MOSFET吗？ZVP1320ASTZ正是为您而来！这颗芯片的核心使命，就是让您在高达200V的电压环境中，实现高效、可靠的电能控制与信号切换。

凭借其70mA的连续漏极电流能力和仅需10V的低驱动电压，它能让您的电路设计更加简洁高效。其80欧姆的低导通电阻（在50mA, 10V条件下）意味着更低的功率损耗，直接帮助您提升系统能效。无论是用于电源管理、负载开关还是接口保护，ZVP1320ASTZ都能以稳定的表现，确保您的设备运行更持久、更可靠。

• 制造商产品型号：ZVP1320ASTZ
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 200V 70MA E-LINE
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：200V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：70mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：80 欧姆 @ 50mA，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：50pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：625mW（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：E-Line（TO-92 兼容）
• ZVP1320ASTZ，Diodes产品一站式供应商。