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ZVP2110A 零件图片(仅供参考)

ZVP2110A
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ZVP2110A 规格参数

您正在为寻找一款高效、可靠的P沟道MOSFET而烦恼吗?让ZVP2110A来轻松解决您的难题!这颗来自Diodes Incorporated的明星产品,拥有100V的漏源电压和230mA的连续漏极电流,专为要求严苛的开关与控制应用而生。

它能让您的设计如虎添翼。其低至8欧姆的导通电阻(在10V驱动下)显著降低了功率损耗,提升了整体能效。无论是用于电源管理、负载切换还是信号接口保护,ZVP2110A都能确保快速、稳定的响应。经典的TO-92-3封装和宽广的工作温度范围,更让它能轻松适应从消费电子到工业设备的多样化环境,是您实现高效、紧凑设计的理想选择。

  • 型号:ZVP2110A
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TO-92
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 100V 230MA TO92-3
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):230mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):8 欧姆 @ 375mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):100 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):700mW(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-92
  • 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
  • ZVP2110A,Diodes产品一站式供应商。
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ZVP2110A 基本参数:

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