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ZVP2110ASTOB 零件图片(仅供参考)

ZVP2110ASTOB
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ZVP2110ASTOB 规格参数

您正在寻找一颗能简化高压侧开关设计、提升系统效率的“得力助手”吗?ZVP2110ASTOB正是这样一款专为小功率精密控制而生的P沟道MOSFET。它能让您轻松驾驭高达100V的电压,并以仅10V的低驱动电压实现高效通断,显著降低您的驱动电路复杂度与功耗。

这颗芯片的核心价值在于其稳健与高效。它能在高达230mA的连续电流下可靠工作,最大8欧姆的导通电阻确保了能量的高效传输,减少功率损耗。其经典的E-Line(TO-92兼容)通孔封装,让焊接和原型制作变得异常轻松,非常适合需要高可靠性与易于维护的工业、汽车电子及各类电源管理应用。选择它,就是为您的产品选择了一份经久耐用的性能保障。

  • 型号:ZVP2110ASTOB
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:E-Line(TO-92 兼容)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 100V 230MA E-LINE
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):230mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):8 欧姆 @ 375mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):100 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):700mW(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:E-Line(TO-92 兼容)
  • 封装/外壳:E-Line-3
  • ZVP2110ASTOB,Diodes产品一站式供应商。
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ZVP2110ASTOB 基本参数:

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