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还在为高压侧开关电路寻找一颗高效、可靠的“心脏”吗？ZVP2110GTC正是您期待的答案。这颗P沟道MOSFET能轻松驾驭高达100V的电压，并以310mA的连续电流能力，让您的电源管理、电机驱动或信号切换应用运行得更稳定、更高效。

它凭借仅10V的低驱动电压和出色的导通特性，能显著降低您的系统功耗与发热。紧凑的SOT-223封装更让您能在有限的板级空间内实现强大的功能集成，简化设计，加速产品上市。选择它，就是为您的项目选择了一份经久耐用的性能保障。

• 型号:ZVP2110GTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):310mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 375mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZVP2110GTC，Diodes产品一站式供应商。