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还在寻找一颗能在高压、小电流场景下稳定担当开关重任的“得力干将”吗？ZVP2120ASTOA正是您期待的答案。这颗P沟道MOSFET拥有高达200V的耐压和120mA的电流处理能力，让您轻松驾驭工业控制、电源管理模块等应用中的开关与保护电路。

它采用经典的TO-92兼容封装，易于安装和焊接，能高效融入您的紧凑设计。凭借仅需10V的低驱动电压和宽达-55°C至150°C的工作温度范围，它确保了系统在各种环境下的高效与可靠运行。选择ZVP2120ASTOA，就是为您的产品选择了一份简单而强大的性能保障。

• 制造商产品型号：ZVP2120ASTOA
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 200V 120MA E-LINE
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：200V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：120mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：25 欧姆 @ 150mA，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：100pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：700mW（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：E-Line（TO-92 兼容）
• ZVP2120ASTOA，Diodes产品一站式供应商。