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还在寻找一颗能轻松驾驭高压小信号开关任务的“得力干将”吗？ZVP2120GTC P沟道MOSFET就是为您准备的答案。它能让您在设计高压侧开关、负载开关或接口保护电路时，轻松实现高效、可靠的通断控制。

这颗芯片拥有200V的漏源电压耐量和200mA的连续电流能力，配合10V的标准驱动电压和优异的导通特性，能显著降低系统功耗与发热。其紧凑的SOT-223封装让您的布局更灵活，生产更高效。选择ZVP2120GTC，就是选择了一份让设计更简单、让产品更出色的信心保障。

• 型号:ZVP2120GTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 欧姆 @ 150mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZVP2120GTC，Diodes产品一站式供应商。