您正在寻找一颗能轻松驾驭60V电压平台,同时保持极简驱动和高效开关性能的解决方案吗?ZVP3306FTA P沟道MOSFET正是您的理想之选。它让您能够以最低10V的栅极电压,高效控制90mA的负载电流,其优异的14欧姆导通电阻显著降低了功率损耗,提升了整体能效。
这颗芯片能为您做什么?它完美适用于需要精密电源管理或信号路径选择的场景,例如便携设备的电源开关、电池保护电路、电平转换接口或模拟开关。其微小的SOT-23-3封装帮助您最大化节省电路板空间,而宽广的工作温度范围确保它在从消费电子到工业控制的各类应用中稳定运行。选择ZVP3306FTA,就是为您的设计注入高效与可靠的基因。
- 型号:ZVP3306FTA
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90mA(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):14 欧姆 @ 200mA,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):50 pF @ 18 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):330mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- ZVP3306FTA,Diodes产品一站式供应商。