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还在寻找一颗能简化您高压侧开关设计、让电路更紧凑高效的P沟道MOSFET吗？ZVP3310ASTOA正是您期待的答案。这颗芯片能轻松担当起电源开关或信号路径选择的重任，其100V的耐压和仅需10V的低驱动门限，让您能用简单的逻辑电平直接控制，大幅简化驱动电路设计，实现高效节能的开关操作。

它采用经典的TO-92兼容封装，通孔安装方便可靠，非常适合在空间和成本都有要求的应用中替换笨重的继电器或复杂的电路。凭借其低至20欧姆的导通电阻和高达140mA的负载能力，它能有效减少功率损耗，确保您的小功率模块运行更凉爽、更持久。无论是用于工业控制板的接口保护，还是消费电子产品的电源管理，ZVP3310ASTOA都能让您的设计更稳健、更出色。

• 型号:ZVP3310ASTOA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 140MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 欧姆 @ 150mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
• ZVP3310ASTOA，Diodes产品一站式供应商。