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您正在寻找一颗能轻松驾驭100V高压、实现高效电路控制的“智能开关”吗？ZVP3310ASTZ P沟道MOSFET正是您的得力助手。它能让您以极简的驱动电路（仅需10V），可靠地控制高达140mA的电流通断，其优异的导通特性（最大20欧姆@10V）确保能量损耗降至最低，让您的产品能效表现更加出众。

这颗芯片专为要求稳定与耐用的场景打造。其坚固的E-Line通孔封装和宽达-55°C至150°C的工作温度范围，让它在恶劣环境下也能稳定运行，是工业控制、电源管理和各类接口保护电路的理想选择。极低的输入电容意味着更快的开关响应，让您的系统运行起来既高效又敏捷。

无论是用于负载开关、信号路径切换还是电源隔离，ZVP3310ASTZ都能以经典的性能和可靠的品质，简化您的设计，提升产品的整体可靠性，是工程师应对中高压控制挑战的经典之选。

• 型号:ZVP3310ASTZ
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 140MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:带盒（TB）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 欧姆 @ 150mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
• ZVP3310ASTZ，Diodes产品一站式供应商。