我们为全球各个行业提供Diodes ZVP3310FTC现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在设计需要高压、小电流精准控制的电路吗？ZVP3310FTC正是为您而来的解决方案。这颗P沟道MOSFET拥有100V的漏源电压承受能力，让您能在各种高压小信号场景中安心进行切换与控制，其仅75mA的连续电流和优异的导通特性，专为高效、低损耗的设计目标服务。

它采用微小的SOT-23-3表面贴装封装，能轻松融入高密度的电路板布局，为您节省宝贵的空间。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了其在严苛环境下的可靠性。简而言之，ZVP3310FTC能让您以更简洁的电路、更小的体积，实现稳定可靠的高压开关功能，是提升产品整体性能与竞争力的理想选择。

• 型号:ZVP3310FTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 欧姆 @ 150mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• ZVP3310FTC，Diodes产品一站式供应商。