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您正在寻找一颗能在高压环境中可靠工作、且占用空间极小的开关器件吗？ZVP4525E6TC正是为此而生。这颗P沟道MOSFET拥有高达250V的耐压和197mA的电流处理能力，让您能轻松、安全地控制高压侧电路，无需复杂的驱动设计，极大简化了您的系统架构。

它采用先进的MOSFET技术，在10V驱动电压下导通电阻低至14欧姆，显著降低了功率损耗，让您的设备运行更高效、更凉爽。其超小的SOT-23-6封装，完美适配高密度电路板布局，帮助您实现产品的小型化目标。无论是用于电源管理、信号隔离还是负载开关，ZVP4525E6TC都能以出色的性能和可靠性，成为您设计中不可或缺的关键元件。

• 型号:ZVP4525E6TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 250V 197MA SOT23-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):197mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±40V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:73 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6
• ZVP4525E6TC，Diodes产品一站式供应商。