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还在为高压开关电路的设计而烦恼吗？ZVP4525GTA P沟道MOSFET就是您的高效解决方案。它能为您做什么？它让您轻松驾驭高达250V的电压，以仅265mA的连续漏极电流实现精准、可靠的负载控制，是电源管理、信号切换和电路保护的理想选择。

得益于其低至3.5V的驱动电压和优化的栅极电荷，这颗芯片能让您的系统快速响应，同时保持极低的静态功耗。其紧凑的SOT-223表面贴装封装，让您在设计时能最大化利用PCB空间，实现更小巧、更高效的产品布局。选择它，就是选择了一份让设计更简单、让性能更出色的承诺。

• 型号:ZVP4525GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 250V 265MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):265mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±40V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:73 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZVP4525GTA，Diodes产品一站式供应商。