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ZX3CD2S1M832TA 零件图片(仅供参考)

ZX3CD2S1M832TA
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ZX3CD2S1M832TA 规格参数

还在寻找一颗能兼顾大电流、低损耗与快速响应的PNP晶体管吗?ZX3CD2S1M832TA正是您的理想之选。它内置隔离二极管,能以高达3.5A的电流和20V的电压稳健工作,而其核心魅力在于极低的300mV饱和压降,能大幅减少开关过程中的能量损耗,直接为您提升系统整体能效,让设备运行更凉爽、更持久。

这颗芯片能让您的设计事半功倍。高达180MHz的跃迁频率确保了对控制信号的快速响应,非常适合需要精密PWM控制的电机驱动或高效DC-DC转换电路。同时,其卓越的150倍最小电流增益和纳安级的截止漏电流,让信号放大更精准,待机功耗更低。采用紧凑的8-MLP封装并自带散热焊盘,为您节省宝贵空间的同时,让热管理变得轻松简单,助您轻松打造出更紧凑、更高效、更可靠的下一代电子产品。

  • Diodes公司完整型号:ZX3CD2S1M832TA
  • 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
  • 描述:TRANS PNP 20V 3.5A 8MLP
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP + 二极管(隔离式)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3.5A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):20V
  • 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 300mA,3.5A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):25nA
  • 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):150 @ 2A,2V
  • 功率 - 最大值:3W
  • 频率 - 跃迁:180MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装:8-MLP/DFN(3x2)
  • ZX3CD2S1M832TA,Diodes产品一站式供应商。
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ZX3CD2S1M832TA 基本参数:

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