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ZXM41N10FTA 零件图片(仅供参考)

ZXM41N10FTA
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ZXM41N10FTA 规格参数

您正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务,同时节省宝贵电路板空间的“全能选手”吗?ZXM41N10FTA正是您期待的答案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET,集100V高耐压、170mA驱动能力与微型SOT-23-3封装于一身,专为高效、紧凑的设计而生。

它能为您做什么?简单来说,它让您能够以极低的导通损耗(典型值8欧姆@4.5V Vgs)和快速的开关响应,可靠地控制电路中的电流通断。无论是便携设备的电源管理、传感器信号的切换,还是LED的驱动,它都能稳定工作,显著提升系统的整体能效和可靠性。选择它,就是选择了一种让设计更简洁、性能更出色的高效方案。

  • 型号:ZXM41N10FTA
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):3V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):8 欧姆 @ 150mA,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):±40V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):25 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):360mW(Ta)
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • ZXM41N10FTA,Diodes产品一站式供应商。
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ZXM41N10FTA 基本参数:

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