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您正在寻找一颗能轻松驾驭低电压、小电流开关任务的P沟道MOSFET吗？ZXM61P03FTC正是为您而来。它拥有30V的耐压和1.1A的连续电流能力，凭借低至350毫欧的导通电阻，能显著减少开关损耗，让您的电路运行更高效、更凉爽。

这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松实现高效的负载开关、电源路径选择和电池保护功能。其极低的栅极驱动需求（阈值电压最大仅1V）和微小的SOT-23-3封装，特别适合空间紧凑的便携设备、物联网模块和各类电源管理单元，帮助您简化设计，提升系统整体能效。

• 型号:ZXM61P03FTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 600mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:140 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• ZXM61P03FTC，Diodes产品一站式供应商。