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还在为空间紧张的设计寻找一颗高效可靠的电源开关吗？ZXM62P02E6TA正是您理想的解决方案。这颗P沟道MOSFET能为您轻松实现高效的负载开关和电源路径管理，其低至200毫欧的导通电阻和仅5.8nC的栅极电荷，让您的系统损耗更低、效率更高、发热更少。

凭借2.3A的连续电流能力和20V的耐压，它能让您的便携设备、IoT模块或智能穿戴产品运行得更稳定、更持久。SOT-23-6的微型封装，让您在设计时游刃有余，轻松应对紧凑的PCB空间挑战。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的能量核心。

• 型号:ZXM62P02E6TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:200 毫欧 @ 1.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:320 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6
• ZXM62P02E6TA，Diodes产品一站式供应商。