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ZXM62P03E6TA 零件图片(仅供参考)

ZXM62P03E6TA
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ZXM62P03E6TA 规格参数

还在为寻找一颗既能节省空间又能高效工作的P沟道MOSFET而烦恼吗?ZXM62P03E6TA正是您理想的解决方案。这颗芯片能为您做什么?它能让您轻松实现高效的负载开关、电源路径管理和信号切换,其卓越的电气特性直接转化为您产品的竞争优势。

凭借低至150毫欧的导通电阻,它能显著减少功率损耗,让您的设备运行更凉爽、续航更持久。同时,超低的栅极电荷确保了快速的开关响应,提升系统整体效率。无论是智能物联网设备、便携式消费电子还是工业控制模块,它都能完美融入,提供稳定可靠的性能。

选择ZXM62P03E6TA,就是选择了一个经过验证的、能助力您产品脱颖而出的核心元件。让它为您的设计注入高效与可靠的基因。

  • 型号:ZXM62P03E6TA
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-26
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):150 毫欧 @ 1.6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):10.2 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):330 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):625mW(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SOT-26
  • 封装/外壳:SOT-23-6
  • ZXM62P03E6TA,Diodes产品一站式供应商。
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ZXM62P03E6TA 基本参数:

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