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您是否正在寻找一颗能够以极小体积承载强大开关任务的P沟道MOSFET？ZXM62P03GTA正是为您而来的解决方案。它能轻松胜任30V电压平台下的高侧开关、负载切换及电源管理任务，其高达4A（Tc）的连续漏极电流和低至150毫欧的导通电阻，让您的系统在高效运行的同时，最大程度地减少能量损耗与发热。

这颗芯片采用紧凑的SOT-223表面贴装封装，为您节省宝贵的PCB空间，其优异的散热设计让功率处理更从容。无论是驱动小型电机、管理电池供电路径，还是在便携设备中实现智能开关，它都能提供快速、可靠的响应。选择它，就是为您的设计注入一份高效与稳定。

• 型号:ZXM62P03GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 2.9A/4A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A（Ta），4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 1.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:330 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZXM62P03GTA，Diodes产品一站式供应商。