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还在为电路板上的空间捉襟见肘而发愁吗？ZXM63N02E6TA正是为您解忧的利器。这款N沟道MOSFET采用超小的SOT23-6封装，却能提供高达20V的耐压和3.2A的电流处理能力，让您在极其有限的空间内，也能实现高效、稳定的电源开关与信号控制功能。

它就像您电路中的一位“高效指挥官”，基于成熟的MOSFET技术，能够精准快速地响应控制信号，完成通断动作。选择它，意味着您能轻松简化设计、提升功率密度，并确保整体系统运行得更可靠、更节能，是打造紧凑型高性能电子设备的理想核心元件。

• 制造商产品型号：ZXM63N02E6TA
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-6
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：*
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：-
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：SOT-23-6
• ZXM63N02E6TA，Diodes产品一站式供应商。