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还在为复杂的电源开关设计头疼吗？ZXM64P035GTA就是您的高效解决方案。这颗P沟道MOSFET能轻松担当您系统中的“智能开关”，在高达35V的电压和5.3A的电流下稳健工作，其超低的导通电阻（最低75毫欧）能显著减少功率损耗，直接提升整机效率，让电能传输更“顺畅”。

它专为简化您的设计而生。采用紧凑的SOT-223封装，极大节省PCB空间，非常适合空间受限的便携式产品。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种环境下的可靠性。无论是用于电池供电设备的负载管理，还是DC-DC转换器中的开关应用，它都能让您轻松实现高效、可靠的电源控制，是提升产品竞争力的得力助手。

• 型号:ZXM64P035GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 35V 3.8A/5.3A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:35 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta），5.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 2.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:825 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZXM64P035GTA，Diodes产品一站式供应商。