我们为全球各个行业提供Diodes ZXM66P02N8TA现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能够显著提升系统效率、让设计更简洁的P沟道MOSFET？ZXM66P02N8TA正是您的理想之选。它拥有20V的耐压和6.4A的强大电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻与栅极电荷，能大幅降低开关损耗和传导损耗，让您的设备运行更凉爽、更节能。

这颗芯片能让您轻松应对各种负载开关和电源管理任务。无论是驱动小型电机，还是在DC-DC转换器中作为高效开关，其优异的性能都能确保稳定可靠的运行。采用紧凑的8-SO表面贴装封装，非常适合空间受限的现代电子设计，帮助您打造出更高效、更紧凑的终端产品。

• 型号:ZXM66P02N8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 3.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2068 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.56W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• ZXM66P02N8TA，Diodes产品一站式供应商。