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还在为寻找一颗既能承受一定功率又足够紧凑的P沟道MOSFET而烦恼吗？ZXM66P03N8TA正是为您排忧解难的得力助手。它集30V耐压与6.25A大电流于一身，却拥有低至25毫欧的导通电阻，能显著降低您在开关应用中的功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更持久。

这颗芯片专为高效开关而优化。其极低的栅极电荷让开关动作干净利落，大幅提升系统响应速度与整体能效。无论是用于便携设备的电源管理，还是作为电机控制中的理想开关，它都能让您的设计轻松应对挑战。其坚固的8-SO表面贴装封装，确保了在-55°C到150°C的广阔温度区间内的卓越可靠性，是您打造高性能、高可靠性产品的坚实基石。

• 型号:ZXM66P03N8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.25A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 5.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1979 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.56W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• ZXM66P03N8TA，Diodes产品一站式供应商。