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还在为电路板空间紧张和驱动效率不高而发愁吗？让ZXMC3A18DN8TA来为您解忧！这颗集成了N和P沟道MOSFET的阵列芯片，就像一个高效的“电能开关大师”，能轻松胜任各种负载切换和电机驱动任务。

它采用逻辑电平门驱动，仅需1V的低电压即可高效开启，让您能直接使用微控制器进行控制，设计变得异常简单。高达5.8A的持续电流能力和低至25毫欧的导通电阻，意味着它能以极小的能量损耗驱动您的负载，让系统运行更凉爽、更省电。无论是用于便携设备的电源管理，还是自动化设备中的电机控制，它都能让您的产品性能脱颖而出。

• 型号:ZXMC3A18DN8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.8A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A，4.8A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 5.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.8W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• ZXMC3A18DN8TA，Diodes产品一站式供应商。