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还在为电路板空间捉襟见肘而头疼吗？ZXMC3AMCTA为您提供一站式高效解决方案！这颗芯片将N沟道和P沟道MOSFET巧妙集成，让您轻松实现紧凑的推挽输出、电机驱动或电源切换功能，彻底告别分立器件带来的布局烦恼。

凭借逻辑电平门控和低至120毫欧的导通电阻，它能被微控制器直接高效驱动，显著降低开关损耗和发热。高达2.9A的负载能力和30V的耐压，确保您的设计动力十足且稳定可靠。选择它，就是选择让您的产品更小巧、更高效、更具竞争力。

• 型号:ZXMC3AMCTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:DFN3020B-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A，2.1A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.9nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:190pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.7W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-WDFN 焊盘
• 供应商器件封装:DFN3020B-8
• ZXMC3AMCTA，Diodes产品一站式供应商。