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还在为复杂的双MOSFET电路布局头疼吗？ZXMC3F31DN8TA为您提供了一站式解决方案！这颗来自Diodes Incorporated的N和P沟道MOSFET阵列芯片，能将两个高性能MOSFET集成于一个紧凑的8-SOIC封装内，让您轻松实现更精简、更可靠的电路板设计。

它专为高效开关而优化，支持4.5V逻辑电平驱动，可直接连接微处理器，省去额外驱动电路。高达30V的耐压和6.8A/4.9A的电流处理能力，配合极低的导通电阻，能显著降低功耗和发热，让您的电机驱动、电源管理和负载开关应用运行得更凉爽、更高效。选择它，就是为您的产品注入了强劲而智能的动力核心。

• 型号:ZXMC3F31DN8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.8A，4.9A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.9nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:608pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.8W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• ZXMC3F31DN8TA，Diodes产品一站式供应商。