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还在为电路板空间紧张和驱动效率不高而烦恼吗？ZXMC4559DN8TC这颗高度集成的双MOSFET阵列，就是为您量身打造的解决方案。它将一个N沟道和一个P沟道MOSFET合二为一，能轻松胜任电机驱动、负载开关等核心任务，让您的设计瞬间变得简洁而强大。

这颗芯片能为您做什么？它凭借高达60V的耐压和3.6A/2.6A的强劲电流能力，让您高效驱动各类负载。其逻辑电平门和低导通电阻特性，意味着您可以直接用MCU控制，并获得更低的能量损耗与发热，显著提升系统整体能效。选择它，就是选择了一条通往更紧凑、更可靠、更高性能产品的捷径。

• 型号:ZXMC4559DN8TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.6A，2.6A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.4nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1063pF @ 30V
• 功率 - 最大值:2.1W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• ZXMC4559DN8TC，Diodes产品一站式供应商。