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还在为电路板空间紧张和驱动效率不高而头疼吗？ZXMC4A16DN8TA这颗紧凑的MOSFET阵列芯片，就是为您量身打造的高效开关解决方案。它将一个N沟道和一个P沟道MOSFET集成在微小的8-SOIC封装内，让您轻松构建推挽或半桥电路，直接用微控制器驱动，大幅简化您的设计。

这颗芯片能为您做什么？它能让您以高达40V的电压和超过4A的电流，高效控制电机、继电器或电源通路。其逻辑电平门和极低的导通电阻，意味着更低的驱动功耗和更少的发热，直接提升您产品的整体能效和可靠性。无论是智能小家电的电机控制，还是便携设备的负载管理，它都能让您的系统运行得更安静、更强劲、更持久。

• 型号:ZXMC4A16DN8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 40V 5.2A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A（Ta），4.7A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 4.5A，10V，60 毫欧 @ 3.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250mA（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:770pF @ 40V，1000pF @ 20V
• 功率 - 最大值:2.1W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• ZXMC4A16DN8TA，Diodes产品一站式供应商。