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还在为寻找一颗能同时驱动N沟道和P沟道、且易于控制的紧凑型MOSFET而烦恼吗？ZXMD63C02XTA正是为您解忧的答案。这颗双MOSFET阵列芯片，让您能轻松实现高效的负载切换与电源管理，其逻辑电平门特性可直接由微处理器驱动，极大简化了您的电路设计。

凭借仅130毫欧的低导通电阻和最高20V的耐压，它能帮助您的便携设备显著降低功率损耗，提升整体能效。紧凑的8-MSOP封装为您节省了宝贵的板级空间，是智能手机、平板电脑、便携式仪器等空间受限应用的理想选择。让它成为您下一个项目中的高效“电力开关”，轻松驾驭功率分配。

• 制造商产品型号：ZXMD63C02XTA
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：*
• 零件状态：停产
• FET类型：N 和 P 沟道
• FET功能：逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.4A，1.7A
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：130 毫欧 @ 1.7A，4.5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：6nC @ 4.5V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：350pF @ 15V
• 功率-最大值：1.04W
• 工作温度：-
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
• ZXMD63C02XTA，Diodes产品一站式供应商。