我们为全球各个行业提供Diodes ZXMD63P03XTA现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为电路板空间不足而烦恼吗？ZXMD63P03XTA双P沟道MOSFET阵列就是您的空间优化大师。它在一个微小的8-MSOP封装内集成了两个逻辑电平驱动的P沟道MOSFET，让您轻松实现双路负载开关、电源路径管理或电机控制，极大地简化了您的布局布线。

这颗芯片能为您做什么？它让您以极高的效率控制功率路径。其低至185毫欧的导通电阻和仅7nC的栅极电荷，意味着更低的开关损耗和驱动需求，特别适合电池供电的便携设备。无论是智能手机的附件检测、物联网传感器的电源切换，还是小型电机的H桥驱动，它都能让您的系统运行得更凉爽、更持久。

• 型号:ZXMD63P03XTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-MSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:185 毫欧 @ 1.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.04W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
• 供应商器件封装:8-MSOP
• ZXMD63P03XTA，Diodes产品一站式供应商。