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还在为电路板上的空间和效率问题烦恼吗？ZXMD63P03XTC双P沟道MOSFET阵列正是为您排忧解难的利器。它能让您轻松实现高效的负载开关、电源路径管理和信号切换，其逻辑电平门驱动特性让您可以直接用微控制器轻松操控，大大简化了驱动电路设计。

凭借仅185毫欧的低导通电阻和极低的栅极电荷，这颗芯片能显著降低开关损耗和传导损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。紧凑的8-MSOP封装为您节省每一寸宝贵的PCB空间，是便携式设备、电池管理系统及各种空间受限应用的理想选择，助您打造更精巧、性能更卓越的产品。

• 型号:ZXMD63P03XTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-MSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:185 毫欧 @ 1.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.04W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
• 供应商器件封装:8-MSOP
• ZXMD63P03XTC，Diodes产品一站式供应商。