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您是否正在寻找一颗能同时控制两路信号或电源，且体积小巧、效率出众的开关解决方案？ZXMD65P02N8TA正是为您而来。这颗来自Diodes Incorporated的双P沟道MOSFET阵列，集成了两个独立的20V/4A功率开关于一个紧凑的8-SOIC封装内，让您轻松实现高密度板级设计。

它的核心价值在于高效与可靠。仅50毫欧的低导通电阻，能显著降低功率损耗和发热，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。同时，其低栅极电荷和输入电容特性，确保了快速的开关响应，非常适合需要精密电源管理和负载切换的便携式电子设备、智能硬件及物联网模块。

简而言之，ZXMD65P02N8TA能帮助您以更小的空间占用和更优的能效表现，可靠地管理双路负载，是提升产品整体性能和竞争力的理想选择。

• 制造商产品型号：ZXMD65P02N8TA
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：2 个 P 沟道（双）
• FET功能：标准
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 2.9A，4.5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250A（最小）
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC @ 4.5V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：960pF @ 15V
• 功率-最大值：1.75W
• 工作温度：-
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• ZXMD65P02N8TA，Diodes产品一站式供应商。