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还在为复杂的双路开关电路布局而头疼吗？ZXMD65P02N8TC为您提供了一站式的高效解决方案。这颗芯片将两个性能优异的P沟道MOSFET集成在一个紧凑的8-SOIC封装中，让您轻松实现节省超过50%的板级空间，同时提供高达4A的强劲驱动能力和低至50毫欧的导通电阻，显著降低系统功耗与发热。

它专为20V以内的电源管理场景优化，具备极低的栅极电荷和输入电容，确保开关动作迅捷而高效。无论是用于便携设备的负载开关、电源路径选择，还是小型电机的驱动，它都能让您的设计更简洁、运行更可靠、能效比更出众，是追求小型化与高性能设计的工程师的得力助手。

• 制造商产品型号：ZXMD65P02N8TC
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：2 个 P 沟道（双）
• FET功能：标准
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 2.9A，4.5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250A（最小）
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC @ 4.5V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：960pF @ 15V
• 功率-最大值：1.75W
• 工作温度：-
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• ZXMD65P02N8TC，Diodes产品一站式供应商。