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还在为复杂的H桥电路布局和多个MOSFET的选配而烦恼吗？让ZXMHC10A07N8TC为您化繁为简！这颗高度集成的MOSFET阵列芯片，将2个N通道和2个P通道MOSFET精巧地封装在一起，直接为您构建一个完整的、高性能的H桥驱动核心。

它能让您轻松实现电机的正反转、刹车控制，或是其他双向负载的精密驱动。凭借100V的耐压和最高800mA的持续电流能力，它动力充沛；而低至700毫欧的导通电阻和优异的开关特性，则确保了高效、低温的运行。无论是空间受限的便携设备，还是要求高可靠性的工业模块，选择它，就是选择了一站式的高效解决方案。

• 型号:ZXMHC10A07N8TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 和 2 P 沟道（全桥）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:100V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):800mA，680mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.9nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:138pF @ 60V，141pF @ 50V
• 功率 - 最大值:870mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• ZXMHC10A07N8TC，Diodes产品一站式供应商。