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还在为电源转换效率低下或电路板空间紧张而烦恼吗？ZXMN10A08E6TC N沟道MOSFET正是为您排忧解难的得力助手。它能在高达100V的电压和1.5A的电流下稳定工作，凭借其卓越的低导通电阻特性，显著减少功率损耗，直接提升您的系统整体能效，让设备运行更凉爽、更持久。

这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松实现高效的负载开关和电源路径管理，特别适用于电池供电设备、电机控制及DC-DC转换器等应用。其微型的SOT-26封装让您在设计时游刃有余，轻松应对紧凑空间的挑战。同时，优异的开关性能和宽泛的工作温度范围，确保了从消费电子到工业控制等各种场景下的可靠性与稳定性，是您打造高性能、高可靠性产品的理想选择。

• 型号:ZXMN10A08E6TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:405 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6
• ZXMN10A08E6TC，Diodes产品一站式供应商。