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还在为空间有限的板卡寻找一颗强健的“电子肌肉”？ZXMN10A08G正是您理想的答案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有高达100V的耐压和2A的电流处理能力，让您在小巧的SOT-223封装内获得强大的功率开关性能。

它的核心价值在于让您的设计更高效、更简单。极低的导通电阻（最大250mΩ）意味着更少的能量损耗和发热，直接提升系统能效。同时，其逻辑电平门控和低栅极电荷特性，使您能够轻松地用微控制器直接驱动，实现快速、干净的开关动作，非常适合需要高频切换的电源管理和电机控制应用。选择它，就是为您的产品选择了可靠、节能且易于集成的动力核心。

• Diodes公司完整型号：ZXMN10A08G
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
• 系列：-
• FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
• FET 功能：逻辑电平门
• 漏源极电压 (Vdss)：100V
• 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：250 毫欧 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250A
• 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.7nC @ 10V
• 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：405pF @ 50V
• 功率 - 最大值：2W
• 安装类型：表面贴装
• 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
• 供应商器件封装：SOT-223
• ZXMN10A08G，Diodes产品一站式供应商。