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还在为功率开关的效率瓶颈而困扰吗？ZXMN10A08GTA N沟道MOSFET就是您的高效能量闸门。它能轻松驾驭高达100V的电压和2A的连续电流，凭借其低至250毫欧的导通电阻，显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更持久，直接提升终端产品的能效表现。

这颗芯片采用紧凑的SOT-223封装，非常适合空间受限的现代设计。它具备快速的开关特性（低栅极电荷）和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保您在各种严苛环境下都能获得稳定可靠的性能。选择它，意味着您选择了一个能简化热管理、优化布局并增强系统整体可靠性的高效解决方案。

• 型号:ZXMN10A08GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:405 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZXMN10A08GTA，Diodes产品一站式供应商。