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还在寻找一颗能轻松驾驭中小功率开关任务的高效“指挥官”吗？ZXMN10A11GTC N沟道MOSFET就是您的理想之选。它拥有100V的耐压和1.7A的电流处理能力，配合低至350毫欧的导通电阻，能显著减少开关损耗，让您的电源转换或电机控制应用运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片采用紧凑的SOT-223表面贴装封装，为您节省宝贵的电路板空间，简化生产流程。其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种环境下的稳定表现。选择ZXMN10A11GTC，就是为您的产品注入一份可靠的动力核心，让设计更从容，性能更出众。

• 型号:ZXMN10A11GTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 2.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:274 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZXMN10A11GTC，Diodes产品一站式供应商。