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还在为功率开关的效率和发热问题烦恼吗？让ZXMN10A11KTC来改变这一切！这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和2.4A的持续电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅350毫欧@10V），能显著减少功率损耗和发热，让您的设备运行更凉爽、更高效。

它专为快速开关应用而优化，低栅极电荷和输入电容让驱动变得轻松，响应速度更快。无论是用于DC-DC转换、电机控制还是负载开关，它都能让您的系统性能获得显著提升。采用坚固的TO-252-2封装，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保在各种环境下稳定可靠，是您打造高效、紧凑、耐用电子产品的理想选择。

• 型号:ZXMN10A11KTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 2.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:274 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.11W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• ZXMN10A11KTC，Diodes产品一站式供应商。