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您是否正在寻找一颗能兼顾高效能与高可靠性的功率开关解决方案？ZXMN10A25K正是为您而来。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有100V的漏源电压和4.2A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值125毫欧@10V），能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

它采用坚固的TO-252-3封装，易于焊接和散热，非常适合空间紧凑的现代电子产品设计。优异的开关特性（低栅极电荷）让您能轻松实现快速切换，提升整体系统响应速度。无论是用于DC-DC转换、负载开关还是其他功率管理任务，ZXMN10A25K都能以稳定的表现，助您构建出更节能、更可靠的终端产品。

• 型号:ZXMN10A25K
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 2.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:859 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.11W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• ZXMN10A25K，Diodes产品一站式供应商。