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还在为开关电源的效率瓶颈而困扰吗？ZXMN10A25KTC N沟道MOSFET就是您的高效解决方案。它能轻松驾驭100V电压和4.2A电流，凭借低至125毫欧的导通电阻和快速的开关特性，显著降低导通与开关损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更节能。

这颗芯片采用坚固的TO-252-3封装，适合表面贴装生产，并能适应从-55°C到150°C的严酷工作环境。无论是提升现有产品的能效，还是开发新一代高可靠性设备，选择ZXMN10A25KTC，就是选择了一份让设计更简单、让性能更出众的保障。

• 型号:ZXMN10A25KTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 2.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:859 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.11W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• ZXMN10A25KTC，Diodes产品一站式供应商。